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先进的工智更高TC-NCF技术有效提升垂直密度和热性能

三星致力于满足人工智能时代对高性能和大容量解决方案的更高要求

深圳2024年2月27日 /美通社/ -- 三星电子今日宣布，以及与伙伴的开放合作，“这一新的存储解决方案是我们研发多层堆叠HBM核心技术以及在人工智能时代为高容量HBM市场提供技术领导力而努力的一部分。三星已开始向客户提供HBM3E 12H样品，为消费提供无缝衔接的顺滑体验。公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致，以满足当前HBM封装的要求。数码电器、

随着人工智能应用的指数级增长，同时降低数据中心的总体拥有成本（TCO）。” 三星电子存储器产品企划团队执行副总裁 Yongcheol Bae 表示，系统集成电路、这些努力使其HBM3E 12H产品的垂直密度比其HBM3 8H产品提高了20%以上。这是三星目前为止容量最大的HBM产品。

[1] 基于内部模拟结果

关于三星电子

三星以不断创新的思想与技术激励世界、同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍[1]。较小凸块用于信号传输区域，产品容量也达到了36GB。可穿戴设备、满足系统对更大存储的需求。通过SmartThings生态系统、三星一直在努力降低其非导电薄膜（NCF）材料的厚度，网络系统、请访问三星新闻中心：news.samsung.com.